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内存颗粒商产能大减 价格可能会大涨
http://www.sinait.com.cn
2005-07-09
中国IT渠道在线
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国际DRAM内存大厂转换产能抢攻NAND型Flash市场效应快速扩散，继三星（Samsung）率先启动产能转换，并于日前通知下游DRAM模组厂客户，7月起全面展开强制配货动作。现代（Hynix）也将自7月起大举调配产能投入Flash生产，加上力晶紧接着自8月起转移产能，在3大DRAM厂连续响起DRAM内存供货警报情况下，DRAM内存模组厂即将进入长达数个月的供货枯水期。
DRAM模组业者表示，原本DRAM供货量仅受到三星转换产能影响，因而还未明显感受到货源不足压力，但自7月起，现代同样也将转换产能至Flash，在2大DRAM厂双重效应冲击下， DRAM供货量大减，并连带使得三星决定自7月起，对于下游DRAM模组厂全面采取强制配货动作，所有DRAM颗粒货源均优先供应国际OEM电脑大厂。
事实上，三星自2005年第一季末逐月增加NAND型Flash产能，并自6月起DRAM供货量减少效应开始扩散，不过，由于6月时仅有三星因转移产能对DRAM市场造成影响，使得6月DRAM颗粒平均合约报价，仅出现持平或微幅增加状态。
DRAM模组厂指出，7月起现代也将正式加入转移NAND型Flash产能行列，预料DRAM市场供货量将持续降低，并使得DRAM内存颗粒合约价将很有机会在7月上半调涨约5～10％。值得注意的是，8月起力晶增加对瑞萨（Renesas）AG-AND型Flash代工的转产效应亦将显现，届时将造成DRAM市场供货来源“三缺效应”同时发生。
更重要的是，国际OEM电脑大厂需求自6月起已逐步增温，7月起更将进入资讯产业传统旺季，加上国际DRAM大厂均将优先以供应OEM电脑大厂为主，因此，DRAM模组厂恐将面临长达数个月的供货枯水期，各家DRAM模组厂仅能各凭本事寻找DRAM货源，预料台DRAM厂可望因而受惠。
资料来源：中关村在线
文章字数：679
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