香港市场评论:

　　今天DDR现货价格相对较为稳定, 除了UTT颗粒. 由于UTT出现补货活动, 价格因此而略为回升. 今天通路商只注意低于市场价格的产品, 所以市场成交量仍然有限. 同时, 32Mx8 Hynix DDR266/ 333/ 400价格分别稳定于 $ 2.53/ $ 2.55/ $ 2.55; UTT价格则轻微上涨至 $ 2.27. Nand Flash方面, 价格普遍偏软, 需求持续放慢. 其中2Gb出现补货活动, 价格稍为回稳.

　　（以上信息由香港福意国际提供）

　　深圳市场：

　　今天国内DRAM市场价格一改往日平静状态，上午台湾市场一直处于坚守价格状态，不想低价格出货，而国内市场还是一路走低，但是国内下午出现补仓动作，导致价格又开始反弹。我们看到，价格上涨没有造成市场出现比较大的成交量，属于正常调整状态，后市依然需要谨慎操作。NAND FLASH方面，Hynix1G/2G产品补仓动作明显，带动价格有所攀升，而Samsung方面由于需求平和货源充足，价格趋于平稳，由于周末加中秋有三天假期，可以看出贸易商拿货动作的动机是为假期做提前准备。

　　台湾市场：

　　今日的DRAM现货市场相较于昨日来得热络许多, 由于在海外需求的带动下, 出现了少许的交易情形. 在主流颗256Mb(32M*8)400MHz/333MHz/266MHz都分别的调整至 USD 2.54/ USD 2. 535与 USD 2.547, 此外在UTT(ETT)的颗粒部份, 今日的需求相对的活络起来, 价格一路攀升0.98 %至 USD 2.272, 成交量稳定.在NAND FLASH的颗粒部份, 连日来的涨势已稍微和缓下来, 不过大多数的供货商还是不肯降价求售, 实际交易量有限. 在主流颗粒1Gb/2Gb/4Gb与8Gb都分别的调降至 USD 6.89/ USD 12.15/ USD 23.47 与 USD 46.72, 成交量不明显.

　　美国市场：

　　周三美国DRAM现货市场需求稳定，而且价格稍有些疲软。业者表示，目前的走势是被预期到的，因此商家对DRAM部分关注并没有增强，全天价格没有实质性变化。一些炒家开始怀疑到十月和十一月的时候销售额能否显着增长，因为电脑方面的需求并未得到增强。记忆体商家还是继续关注NAND Flash产品，Flash方面的需求目前是比较强劲的。
 

　　（以上信息由ChinaDram.com提供）

　　北京中关村市场评论：

　　今天北京现货DDR市场上，价格走势依然是下降，但涉及到的产品数量增加了不少。其中现代兼容条256M和KINGMAX 256/512M分别下降5元。作为内存价格风向标的KINGSTON DDR400 256M/512M更是跌落5/10元。此外，勤茂全线DDR内存同样小降了5元。笔记本和DDR II内存方面全体产品价格稳定。