2-2-2-2超低时序艾凌缔造超频神话

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2-2-2-2超低时序艾凌缔造超频神话

http://www.sinait.com.cn 2005-08-01 中国IT渠道在线

随着暑期256M、512M容量DDR400规格艾凌（AENEON）内存登陆中关村市场，小编在第一时间内对这两款内存分别作了详细介绍，鉴于很多朋友对艾凌（AENEON）内存的品质还不是很了解，小编特地对艾凌（AENEON）的这两款内存作了超频测试，希望可以为大家选购合适的内存产品提供更多更有力的依据。

　从产品的外观来看，依然可见英飞凌原厂内存条的设计风格，毕竟工程师来自于同一家公司，风格相似也便不足为奇。此款产品采用单面8颗粒内存规格设计，整体来看产品做严谨扎实，PCB表面覆铜效果明显，保证了良好的电气性能和抗电子干扰性能;PCB表面布线清晰明了，微型贴片电容和8PIN电阻排装帧整齐，Verf去偶电容和回路校验电阻均无活检，体现出了一流的做工品质。在产品PCB的正面左侧位置标贴了产品规格标签。
　产品PCB背面采用少见的非规则A类布线设计，走线整齐不杂乱，过半的覆铜面积，进一步保证了产品的可靠性和稳定性。这种布线方式笔者也是第一次见到，这个特色也可以用作产品防伪。金手指采用较为成熟的化学镀金制造工艺，有效保证了金层的厚度和均匀度，金手指表面色泽纯正光亮。
接下来我们就正式进入今天的测试过程，先来看一下我们的测试平台：
测试用处理器选用AMD2600+，Socket 462 针脚，0.13微米制程，工作电压1.65V，FSB前端总线为333。由于主板支持分频技术，可以在分频选项中调节预定的内存工作频率，从而检验内存的超频性能
测试用主板选用了技术成熟且调节选项比较丰富的NFORCE2 ULTRA 400芯片磐正主板8RDA3G，主板前端总线支持FSB400。
艾凌（AENEON）256M内存SPD中提供了如下信息：模块大小为256M，最大带宽为PC3200，内存芯片核心频率为200MHZ（等同于DDR400）；制造商信息没有提供，但从256M和512M两款产品相同的颗粒编号规则上来看，256M同512M内存一样选用的是英飞凌（INFINEON）原厂颗粒，颗粒编号为AED560UD00-500C88X（与产品规格标签上标称值相同）；产品序列号为02136324，生产日期为2005年第24周。在SPD时序表中详细给出了外频不同时的对应时序参数值：133MHZ外频时时序参数为2-2-2-6（正是这点让小编意识到艾凌的这款内存在时序方面会有惊人的表现）；166 MHZ外频时时序参数为2.5-3-3-7（按顺序依次代表CAS＃延迟、RAS＃到CAS＃、RAS＃预充电、TRas＃)；200 MHZ外频时时序参数为3.0-3-3-8。
艾凌（AENEON）512M内存SPD中提供了如下信息：模块大小为512M，最大带宽为PC3200，内存芯片核心频率为200MHZ（等同于DDR400）；和256M内存不同的是512M内存提供了制造商信息——英飞凌，颗粒编号为AED660UD00-500B98X（与产品规格标签上标称值相同）；产品序列号为0D300FC，生产日期为2005年第20周。SPD时序情况为：133MHZ外频时时序参数为2-2-2-6，166MHZ外频时时序参数为2.5-3-3-7，200MHZ外频时时序参数为3.0-3-3-8。

小编先对艾凌（AENEON）256M内存进行了超频测试，当保持时序不变，电压值为2.5V时超频至223MHZ(等同于DDR446)时系统可稳定运行。增加内存供电电压也回天乏术，只是对223MHZ下系统运行的稳定起到了一定的作用，却很难在内存核心频率上再有所提升，超至225MHZ时系统便会出现死机、重启等不稳定现象，此时已达到内存的极限工作频率。最终超频成绩的确有些让人不太满意，小编突然想到SPD时序表中的信息当内存工作在133外频时时序参数为2-2-2-6，莫非艾凌（AENEON）内存使用的英飞凌（INFINEON）原厂内存颗粒为沟槽式制造工艺？说到这里，小编对目前内存的制造工艺作一下简单介绍：

　　目前内存芯片制造技术主要分为堆叠式制造工艺和沟槽式制造工艺两种，其中以堆叠式制造工艺为主流，目前绝大部分内存芯片采用此种制造工艺，这种制造工艺的特点在于频率的提升幅度较高，可以使内存工作在较高的频率上，相对应在时序参数表现力方面就会差一些；而沟槽式制造工艺现在只有少数芯片制造商在采用，如英飞凌和华邦，这种制造工艺的特点在于时序参数可以工作在更优的状态下，以达到同样提升内存性能的目的，相对应在频率提升方面就会差一些。

　　为了进一步验证小编推测的正确性，马上展开了对256M内存时序的测试。

果然不出所料，小编在未加电压并保持内存工作在DDR400模式的情况下，轻松将时序超至2-2-2-2的惊人参数（CAS＃延迟、RAS＃到CAS＃、RAS＃预充电的值都为越小越好，TRas的值视情况而定，单BANK时值越小越好，双BANK时情况则较为复杂，测试中的两款产品都为单BANK类型）。尝试再调低时序参数值时均以失败告终，不过这已是目前小编见过的最好成绩，一举刷新了内存时序的超频记录，令人颇为惊叹，感慨英飞凌内存颗粒的品质的确出众，测试过程当中系统工作稳定，如果还是比较担心可适当增加工作电压，毕竟整个时序超频过程完全是在默认工作电压2.5V下完成的。

　　对艾凌（AENEON）256M内存进行过超频测试后，512M内存的超频情况也便在意料之中了，毕竟两款产品的做工相同，PCB设计相同、定位也相同，如果不出预料可以进一步验证——两款内存在超频情况上的差距并不大。

果然不出所料，保持200MHZ核心频率下的默认时序和默认工作电压2.5V不变，512M内存的最终超频成绩与256M内存竟然惊人的相似，同样稳定工作在了223MHZ频率上，同样无法超越225MHZ关卡，增加内存供电电压也与事无补，进一步验证了小编的推测。
在未加电压并保持内存工作在DDR400模式的情况下，最终将512M内存的时序超至2-3-3-3，同样增加电压也无法再调低任何一个参数。看来256M内存颗粒的品质是要优于512M内存的，两款内存所用颗粒的规格并不相同，256M内存使用的是32MB×8bit规格的颗粒，而512M使用的是64MB×8bit规格的颗粒，但可以明显看出两款产品所使用的颗粒规格基本相同，市场定位也相当明确，与英飞凌（INFINEON）品牌内存还是存在一定差距，这也正是艾凌（AENEON）内存的价格要低于英飞凌（INFINEON）内存的原因所在。

　　编后语：

　　从超频过程当中可以看出，艾凌（AENEON）品牌内存使用的内存颗粒，的确来自于英飞凌（INFINEON）原厂，同英飞凌（INFINEON）品牌内存的差别也只是在超频性能上有所折扣，完全不影响常规使用（不适合于超频玩家选购），但无可小视的是，艾凌（AENEON）内存在时序参数方面惊人的表现依然显露出了锐利的锋芒，品质依然出众，相对于英飞凌（INFINEON）品牌内存来说性价比还是很不错的，推荐选购。

资料来源：CNET中国·ZOL

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